三星电子于 6 月 30 日开始量产 3nm 芯片。该公司现已安排在 7 月 25 日举行启动仪式,届时将推出世界上最先进的半导体3nm 芯片。
这些 3nm 芯片基于 Gate-All-Around (GAA) 晶体管架构,都将在 6 月开始量产一个月后向世界展示。
三星急于击败台积电
BusinessKorea报道称,首批 3nm 芯片将交付给一家中国加密货币矿工。据多家和新闻媒体报道,由于加密货币市场的现状,从长远来看,三星并不太依赖其中国加密货币客户。
据韩国 Pulse News 报道,第一批 3nm 出货仪式将于 7 月 25 日在京畿道华城芯片制造中心举行。此外,由于三星拥有最好的设备和技术,第一批在华城生产意味着小规模生产位于平泽。
韩国产业通商资源部长官 Lee Chang-yang 和三星设备解决方案部总裁兼首席执行官 Kyung Kye-Hyun 将出席该仪式。三星还计划在 2023 年和 2025 年开始生产第二代 3nm 芯片,以赶上半导体巨头台积电。
台积电计划在本月晚些时候或 8 月开始制造基于 FinFET 的 3nm 芯片。它可能会在 2025 年开始制造基于 GAA 技术的芯片。三星的 3nm 技术比台积电的 FinFET 更先进。